FG-MOSを用いた4値SRAMに関する研究

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT09095

グループ名: 【C】電子･情報･システム部門　電子回路研究会

発行日: 2009/10/30

タイトル(英語): The study about Four valued SRAM with FG-MOS

著者名: 西 晃司(佐賀大学),清水 暁生(佐賀大学),深井 澄夫(佐賀大学),石川 洋平(有明工業高等専門学校)

著者名(英語): Koji Nishi(Saga University),Akio Simizu(Saga University),Sumio Fukai(Saga University),Yohei Ishikawa(Ariake National College of Technology)

キーワード: 4値SRAM|Floating Gate-MOS FET|Four Valued SRAM|Floating Gate-MOSFET

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 582 Kバイト