弱反転領域動作CMOSインバータ電圧検出器の動作解析及び検出電圧の設計に関する考察

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT10012

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2010/01/21

タイトル(英語): Analysis of CMOS-inverter voltage detector with subthreshold MOSFETs and consideration of detection voltage

著者名: 岡田 高輝(明治大学),高窪 かをり(明治大学)

著者名(英語): Kouki OKADA(Meiji University),Kawori TAKAKUBO(Meiji University)

キーワード: 電圧検出器|ＣＭＯＳインバータ|弱反転領域|４端子ＭＯＳＦＥＴ|voltage detector|CMOS inverter|subthreshold MOSFETs|four-terminal MOSFET

要約(日本語): 弱反転領域で動作するMOSFETを用いたCMOSインバータ構成の電圧検出器について4端子モデル式を用いて解析し、従来の3端子モデル式による解析と比較する。0.18μm n-well CMOSプロセスで試作した提案回路の実測値と比較検討する。また、従来のCMOSインバータ構成の電圧検出器では検出電圧の値を不確定に検知している為任意に設計が出来ない。そこで、検出電圧の値を設計することが可能な電圧検出回路を提案する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 620 Kバイト