オフ状態におけるMOSFETのリーク電流の考察及び低リークMOSFETスイッチ

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT10016

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2010/01/22

タイトル(英語): Analysis of Leakage Current for MOSFET in Off-State and Low Leakage Switches

著者名: 池田 剛志(明治大学),高窪 かをり(明治大学)

著者名(英語): Ikeda Takeshi(Meiji University),Takakubo Kawori(Meiji University)

キーワード: リーク電流|オフ状態のＭＯＳＦＥＴ|ＭＯＳＦＥＴスイッチ|leakage current|MOSFET in off-state|MOSFET switch

要約(日本語): MOSFETを4端子素子としてオフ状態のリーク電流をモデル化し, 実測値と比較した。低リークMOSFETスイッチの提案・実測を行った。

要約(英語): Leakage current of MOSFET in off-state is modeled by four terminal device.Low leakage MOSFET switches are proposed and measured.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 818 Kバイト