弱反転領域動作ＭＯＳＦＥＴにおけるＭＯＳダイオードの表面ポテンシャルを考慮した４端子モデルの一考察

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT10020

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2010/01/22

タイトル(英語): Modeling of Four-terminal MOSFET operating in Subthreshold Region based on Surface Potential of MOS Diode

著者名: 市川 章夫(中央大学大学院),高窪 かをり(明治大学),高窪 統(中央大学)

著者名(英語): ICHIKAWA Akio(Chuo University),TAKAKUBO Kawori(Meiji University),TAKAKUBO Hajime(Chuo University)

キーワード: ＭＯＳＦＥＴ|ＭＯＳダイオード|表面ポテンシャル|弱反転領域|拡散電流|４端子|MOSFET|MOS diode|surface potential|subthreshold region|diffusion|four-terminal

要約(日本語): 弱反転領域で動作するMOSFETの理論的解析を行ない，４端子モデルを用いた電流式の導出を行なった．MOSダイオードの特性からMOSFETの深さ方向のポテンシャルを導く．MOSFETの深さ方向に対するキャリア濃度分布を導出して，微小深さにおけるソースドレイン間での濃度勾配による拡散電流密度を導出する．導出された拡散電流密度を全空乏領域において積分し，電流式を導出する．

要約(英語): MOSFET has three regions, saturation region, linear region and subthreshold region. In MOSFET, there are two kind of current, drift and diffusion. Diffusion current flows when MOSFET is operating in three regions. But in saturation region and linear region, diffusion current is small, and drift current is dominant. In subthreshold region, diffusion current is dominant.This paper analyzes diffusion current of MOSFET operating in subthreshold region.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 766 Kバイト