MOSFETの弱反転領域を利用した温度センサ回路

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT10021

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2010/01/22

タイトル(英語): A Temperature Sensor Using Characteristics of MOSFET Operating in Weak Inversion Region

著者名: 大藤 雅之(中央大学),高窪 統(中央大学),高窪 かをり(明治大学)

著者名(英語): Ohfuji Masayuki(Chuo University),Takakubo Hajime(Chuo University),Takakubo Kawori(Meiji University)

キーワード: ＣＭＯＳ|温度センサ|弱反転領域|CMOS|Temperature sensor|Weak inversion region

要約(日本語): 本稿では, MOSFETの弱反転領域でのドレイン電流の特性を利用した温度センサ回路を提案する。提案する温度センサは既存の温度センサの考えられる問題点を改善することができる回路構成にしている。両方の回路構成を0.18μm CMOSプロセスBSIM3v3のモデルパラメータを用いたシミュレーション, 0.18μm CMOSプロセスで製作した回路の実測により比較を行った。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 894 Kバイト