移動度低下の影響を考慮した新しい局所負帰還型MOSトランスコンダクタの構成

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT10065

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2010/06/11

タイトル(英語): A New Design of a Local-Feedback MOS Transconductor Considering Effect of Mobility Degradation

著者名: プラウイット トンプーン(防衛大学校),松元 藤彦(防衛大学校),石尾 隆太郎(防衛大学校),大淵 武史(防衛大学校),竹内 均(防衛大学校),野口 泰明(防衛大学校)

著者名(英語): Pravit Tongpoon(National Defense Academy),Matsumoto Fujihiko(National Defense Academy),Ishio Ryutaro(National Defense Academy),Ohbuchi Takeshi(National Defense Academy),Takeuchi Hitoshi(National Defense Academy),Noguchi Yasuaki(National Defense Academy)

キーワード: ＣＭＯＳ|アナログ集積回路|トランスコンダクタ|線形回路|移動度の低下|CMOS|Analog Integrated Circuits|Transconductors|Linear Circuits|Mobility Degradation

要約(日本語): 局所負帰還型MOSトランスコンダクタは、線形な入出力特性を持つことが知られている。しかし、移動度低下の影響により、その線形性が悪化してしまう。 本稿では、移動度低下の影響を考慮した、新しい局所負帰還型MOSトランスコンダクタの構成を提案する。提案回路は、従来回路に比べ構成が簡単で、消費電力が大きく低減される。シミュレーションの結果により、提案回路の有効性が確認された。

要約(英語): A local-feedback transconductor is known as a linear transconductor. The linearity is deteriorated by mobility degradation. This paper presents a new design of the local-feedback transconductor considering effect of the mobility degradation. The proposed circuit has simple configuration and low power consumption, compared with the conventional circuit. Simulation results show that the proposed circuit is effective.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 758 Kバイト