非飽和領域で動作するMOSFETを用いて大信号時の負荷変動を補償した利得可変高周波電力増幅回路

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT10081

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2010/10/27

タイトル(英語): Reduction of Load's Fluctuating in large signal for Variable Gain CMOS RF Power Amplifier Using 2-Triode Load

著者名: 村井 亮太(東京理科大学大学院),兵庫 明(東京理科大学),関根 慶太郎(東京理科大学)

著者名(英語): Murai Ryota(Tokyo University of Science),Hyogo Akira(Tokyo University of Science),Sekine Keitaro(Tokyo University of Science)

キーワード: 利得可変|電力増幅回路|非飽和領域|ＣＭＯＳ|ＷＬＡＮ|variable gain|power amplifier|triode region|CMOS|WLAN

要約(日本語): 本稿では、PAの負荷に受動素子を用いた場合と同等のO1dBCP特性をもつPAの可変負荷回路を提案する。提案回路においてMOSFETを非飽和領域で動作させることで負荷に可変機能をもたせ、さらにMOSFETを常に非飽和領域で動作させることにより大信号時のgd変動を低減し、受動素子と同等のO1dBCP特性を得ることができる。シミュレーションの結果、提案回路をPAの負荷に用いることにより受動素子と同等のO1dBCP特性のまま、出力電力を0.29-2.2dBm変化することができる。

要約(英語): This paper proposes a variable gain power amplifier with MOSFETs operating in the triode region as a load to reduce it’s fluctuating in a large output signal. The simulation results show that the fluctuating drainconductance reduction is from 0.94mS to 8.4S, and the O1dBCP is improved from 0.29dBm to 2.2dBm at 2.4GHz.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 757 Kバイト