弱反転動作MOSFETを用いた微小振幅信号の整流回路の一考察

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT10093

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2010/10/28

タイトル(英語): Rectifier for low voltage swing consisting of subthreshold MOSFET

著者名: 林 拓哉(明治大学),高窪 かをり(明治大学)

著者名(英語): hayashi takuya(Meiji university),takakubo kawori(Meiji university)

キーワード: ＭＯＳＦＥＴ|弱反転領域|検波回路|整流回路|ＦＥＢＴ動作|微小振幅信号|MOSFET|Subthreshold Region|Detection Circuit|Rectifier|FEBT operation|Low Voltage Swing

要約(日本語): 微弱な信号を検波するための整流可能な回路が必要となっている。弱反転領域で動作する4端子のMOSFETをFEBT動作させて用い、微小振幅信号の半波整流を行う手法を提案し実測により確認する。通常約0.5V以下の電圧は雑音に紛れてしまい整流が難しいが、ソース-バルク間pn接合に順方向バイアスを加えること（FEBT動作）で整流可能となる。さらに、この動作をもとにMOSFETを用いた微小振幅信号の全波整流回路を提案し、シミュレーションで動作を確認する。

要約(英語): The rectifier which detects low voltage swing is required. Using four-terminal MOSFETs in subthreshold region with FEBT operation，a technique of half-wave rectification for low voltage swing is proposed and confirmed by measurement. Generally，the rectifier for voltage swing less than 0.5Vpeak is difficult to realize because of signal noise，but applying forward biased p-n junction between source and bulk，it can be rectified. Furthermore，a full-wave rectifier for low voltage swing with MOSFETs is proposed and confirmed by simulation.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 685 Kバイト