α乗則を用いたトランジスタばらつきのモデル化と、それを利用した差動増幅回路高調波ひずみのばらつき感度解析
α乗則を用いたトランジスタばらつきのモデル化と、それを利用した差動増幅回路高調波ひずみのばらつき感度解析
カテゴリ: 研究会(論文単位)
論文No: ECT10095
グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会
発行日: 2010/10/28
タイトル(英語): Modeling Transistor Variation using alpha-Power Formula and its Application to Sensitivity Analysis on Harmonic Distortion in Differential Amplifier
著者名: 長谷川 健(諏訪東京理科大学),青木 正和(諏訪東京理科大学),山脇 大造(日立中央研究所),田中 聡(日立中央研究所)
著者名(英語): Ken Hasegawa(Tokyo University of Science ,Suwa),Masakazu Aoki(Tokyo University of Science ,Suwa),Taizo Yamawaki(Central Research Laboratory,Hitachi Ltd),Satoshi Tanaka(Central Research Laboratory,Hitachi Ltd)
キーワード: チップ製造ばらつき|統計的α乗則|ドライバートランジスタばらつき|差動増幅|高調波ひずみ|process variability in a chip|statistical α-power model|driver transistor mismatch|differential amplifier|harmonic distortion
要約(日本語): 筆者らは統計的なMOSFETモデル使用し、α乗則をID-VG 特性に用いて手計算でトランジスタばらつきの簡単な処理を可能とする手法を提案する。本研究では、SPICEを使用した感度解析と統計的α乗則に従い、トランジスタばらつき(ミスマッチ)が差動増幅回路の高調波ひずみに与える影響を評価した。
要約(英語): We propose a statistical MOSFET model using the α-power equation for ID-VG curves of the transistor to enable easy treatment of transistor variation by hand calculation. We evaluated the impact of the transistor variation (mismatch) on the harmonic distortion (HD) in a differential amplifier using the statistical α-power model along with sensitivity simulation using SPICE.
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 1,110 Kバイト
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