MOSトランジスタを分割して熱雑音を低減した増幅回路の最適設計

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT10098

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2010/10/29

タイトル(英語): Optimum design of low thermal noise amplifier using a split MOS transistor

著者名: 三窪 紘平(山梨大学),佐々木 秀晃(豊橋技術科学大学),佐藤 隆英(山梨大学),和田 和千(豊橋技術科学大学)

著者名(英語): Mikubo Kohei(University of Yamanashi),Sasaki Hideaki(Toyohashi University of Technology),Sato Takahide(University of Yamanashi),Wada Kazuyuki(Toyohashi University of Technology)

キーワード: ＭＯＳトランジスタ|熱雑音|低雑音増幅回路|最適設計|MOS transistor|thermal noise|low noise amplifier|Optimum design

要約(日本語): MOSトランジスタを分割することで熱雑音を低減した増幅回路の最適設計について論じている。入力換算雑音を最小とする入力MOSトランジスタの分割比及び、負荷として働くMOSFETのチャネル幅を明らかにしている。

要約(英語): This paper discusses optimum design of low noise amplifier using a split MOS transistor. Split ratio of input MOS transistor and channel width of load MOS transistor which minimize input referred noise are revealed.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 495 Kバイト