抵抗領域動作のMOSFETを利用した低電圧トランスコンダクタの一設計

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT10101

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2010/10/29

タイトル(英語): A Design of a Low Voltage Transconductor with MOSFETs Operating in Triode Region

著者名: 松元 藤彦(防衛大学校),石尾 隆太郎(防衛大学校),大淵 武史(防衛大学校),プラウィット トンプーン(防衛大学校),竹内 均(防衛大学校),野口 泰明(防衛大学校)

著者名(英語): Matsumoto Fujihiko(National Defense Academy),Ishio Ryutaro(National Defense Academy),Ohbuchi Takeshi(National Defense Academy),Tongpoon Pravit(National Defense Academy),Takeuchi Hitoshi(National Defense Academy),Noguchi Yasuaki(National Defense Academy)

キーワード: アナログ集積回路|低電圧回路|トランスコンダクタ|抵抗領域|Analog Integrated Circuit|Low Voltage Circuits|Transconductor|Linear Region

要約(日本語): 　本稿では、抵抗領域動作のMOSFETを利用したトランスコンダクタの新しい回路構成を提案する。これにより、従来のトランスコンダクタよりもシンプルな抵抗領域動作のMOSFETを利用したトランスダクタを実現することができる。提案回路は、従来回路よりも信号経路のトランジスタ数が少ないため、バイアスのためのカレントミラー回路を大幅に削減することができる。シミュレーションにより、提案回路の有効性を確認した。

要約(英語): In this paper, a new design of a transconductor with MOSFETs operating in the triode region is proposed. It is possible to realize a more simple transconductor than a conventional　transconductor. The number of current mirror circuits determining the bias voltages is reduced because the proposed transconductor needs less transistors in the signal path than a conventional transconductor.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 574 Kバイト