FEBT動作によるOTAのgm改善の検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT10102

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2010/10/29

タイトル(英語): Transconductance-Improvement of OTA wiht FEBT opelation

著者名: 後藤 祐也(明治大学),高窪 かをり(明治大学)

著者名(英語): Gotou Yuuya(Meiji University),Takakubo Kawori(Meiji University)

キーワード: 弱反転領域|トランスコンダクタンス|ＯＴＡ|ＦＥＢＴ動作|順方向バイアス|ｐｎ接合

要約(日本語): 弱反転領域で動作するMOSFETを用いたOTAのトランスコンダクタンスを改善する手法を提案する．ゲート電圧によってバルク電圧を与える構成とすることにより，ソース・バルク間のpn接合に順方向バイアスが加わるFEBT動作とし，OTAのトランスコンダクタンスを改善する．0.18μm n-well CMOSプロセスで試作した単体のMOSFETの実測結果より提案手法の動作を確認する．シミュレーションによりOTAのgmの改善結果を示す．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 678 Kバイト