真空紫外レーザーを用いたアルミニウム薄膜のパターン形成

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT10105

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2010/11/22

タイトル(英語): Patterning of Aluminum Thin Films with DUV laser

著者名: 岩井 和史(防衛大学校),大越 昌幸(防衛大学校),野尻 秀智(㈱レニアス),井上 成美(防衛大学校)

著者名(英語): Kazufumi Iwai(National Defense Academy),Masayuki Okoshi(National Defense Academy),Hidetoshi Nojiri(RENIAS CO.,LTD.),Narumi Inoue(National Defense Academy)

キーワード: アルミニウム|酸化アルミニウム|パターニング|Ｆ２レーザー|ＡｒＦレーザー|Ｎｄ：ＹＡＧレーザー|aluminum|aluminum oxide|patterning|F2 laser|ArF laser|Nd:YAGlaser

要約(日本語): 本研究では、シリカガラス基板上に真空蒸着したアルミニウム薄膜に、F2レーザー（157nm）を照射すると、水酸化カリウム水溶液によるパターニングを容易におこなうことができ、さらに膜の密着性が著しく高くなることを見出した。本報告では、F2レーザーによるアルミニウム薄膜のパターン形成において、波長の異なるレーザーを用いて、膜と基板との密着性発現のメカニズムについて検討した。

要約(英語): A 157 nm F2 laser induced strong oxidation of Al thin film surface to show the chemical resistance to KOH aqueous solution for patterning on silica glass substrate. In addition, the adhesion of the Al thin films was found remarkably high. The mechanism of the surface and interface modification with the F2 laser was examined.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 836 Kバイト