低熱膨張材料を用いた半導体パッケージ基板の開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT10109

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2010/11/22

タイトル(英語): Development of substrate for semiconductor packages using an insulator of low thermal expansion

著者名: 佐藤 茂樹(パナソニック　エレクトロニックデバイス株式会社),平川 典宏(パナソニック　エレクトロニックデバイス株式会社),岩澤 綾子(パナソニック　エレクトロニックデバイス株式会社),中村 禎志(パナソニック　エレクトロニックデバイス株式会社),勝又 雅昭(パナソニック　エレクトロニックデバイス株式会社)

著者名(英語): SATO SHIGEKI(Panasonic Electronic Devices Co.,Ltd. ),HIRAKAWA NORIHIRO(Panasonic Electronic Devices Co.,Ltd. ),IWASAWA AYAKO(Panasonic Electronic Devices Co.,Ltd.),NAKAMURA TADASHI(Panasonic Electronic Devices Co.,Ltd.),KATSUMATA MASAAKI(Panasonic Electronic Devices Co.,Ltd.)

キーワード: 低熱膨張|半導体パッケージ|反り|シミュレーション|めっき接続|導電性ペースト接続|low thermal expansion|semiconductor packages|warpage|simulation|plating connection|electro-conductive paste connection

要約(日本語): アラミド材料は従来の材料に比べ面内方向の熱膨張係数が小さいために、リフロー中の反りの変化量が少なく、半導体パッケージの基板材料として要求される基本性能を満たすことを実証した。また、熱応力シミュレーションにより、アラミド材料のような厚さ方向の熱膨張係数が大きい材料であっても、めっき接続と導電性ペースト接続とを組み合わせることでビアに働く応力を緩和させることが可能であることを示した。

要約(英語): The aramid material is very unique material that has an anisotropic coefficient of thermal expansion (CTE). We studied its basal characteristic as the organic substrate for semiconductor packages. Since the CTE of substrate in horizontal (xy) direction using aramid material is smaller than that of conventional material, the warpage for semiconductor packages during 2nd solder mounting is very small. Though the aramid material has a large CTE of vertical (z) direction, the tensile stress of the stack via structure can be reduced by the combination of the plating connection and the electro-conductive paste connection technology.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 3,999 Kバイト