抵抗領域で動作するMOSFETを用いたOTA回路の入力電圧の改善

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT11020

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2011/01/28

著者名: 佐藤 広生(東京工業大学),齋藤 祐樹(東京工業大学),ニコデムス レディアン(東京工業大学),高木 茂孝(東京工業大学)

著者名(英語): Sato Hiroki(Tokyo Institute of Technology),Saitou Yuuki(Tokyo Institute of Technology),Nicodimus Retdian(Tokyo Institute of Technology),Takagi Shigetaka(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: ＭＯＳＦＥＴ|抵抗領域|ＯＴＡ|MOSFET|triode region|OTA

要約(日本語): 従来の抵抗領域で動作するMOSFETを用いたOTAではトランスコンダクタンスによって入力電圧範囲が決まる。従来の回路よりも提案する回路を用いて入力電圧範囲の広いOTAの構成を提案する。

要約(英語): This paper proposes an dynamic voltage biasing circuit to keep an MOSFET operating in the triode region in awider voltage range and an OTA circuit based on it. Compared to conventional OTA circuits using MOSFETs inthe triode region with a constant bias voltage for the drain-to-source or gate-to-source voltage, the proposed circuithas an improved input voltage range and tunability of the transconductance value. The simulated results by usingMOSFET parameters of 0.18_x0016_m standard CMOS shows improved input voltage range by 130mV in a 1.5V supplyvoltage.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 479 Kバイト