MOSFETのトランスコンダクタンス補償回路を用いて線形性を向上させたCMOSフォールデッドMixer

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT11023

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2011/01/28

タイトル(英語): A Low-voltage CMOS Folded-Mixer with Transconductance Linearization Circuit

著者名: 横井 隆弘(東京理科大学),兵庫 明(東京理科大学),関根 慶太郎(東京理科大学)

著者名(英語): Yokoi Takahiro(Tokyo University of Science),Hyogo Akira(Tokyo University of Science),Sekine Keitaro(Tokyo University of Science)

キーワード: ＣＭＯＳ|ＲＦ|周波数変換器|線形性|歪み|低電源電圧|CMOS|RF|Mixer|Linearity|Distortion|Low voltage supply

要約(日本語): 本稿では、5GHz帯Low-IF方式向けCMOSダウンコンバージョンMixerにおいて、トランスコンダクタンス補償回路と、折り返し型の構成を用いることで、低電源電圧かつ線形性の高い構成を提案した。0.18μmCMOSプロセスを用いたシミュレーションの結果、提案回路は、電源電圧1Vで動作することが可能であり、消費電力5.5mWで、15.0dBの変換利得、5.6dBmのIIP3特性を得ることができた。

要約(英語): This paper presents a low-voltage CMOS folded down-conversion Mixer improved linearity. The proposed mixer uses a transconductance linearization circuit to improve IIP3 (Third-order input intercept point). The simulation results using 0.18μm CMOS technology show that the proposed mixer achieves conversion gain of 15.0 dB, single side band noise figure of 11.9 dB and IIP3 of 5.6 dBm at 5.25GHz. It consumes 5.5mW with a 1 V supply.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 834 Kバイト