弱反転領域で動作するMOSFETを用いた低電力型トランスコンダクタの線形化手法の検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT11026

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2011/03/24

タイトル(英語): A Linearization Technique of Low-Power Transconductor using MOSFETs Operating in Weak Inversion Region

著者名: 石尾 隆太郎(防衛大学校),大淵 武史(防衛大学校),木村 直義(防衛大学校),トンプーン プラウィット(防衛大学校),松元 藤彦(防衛大学校)

著者名(英語): Ishio Ryutaro(National Defense Academy),Ohbuchi Takeshi(National Defense Academy),Kimura Naoyoshi(National Defense Academy),Tongpoon Pravit(National Defense Academy),Matsumoto Fujihiko(National Defense Academy)

要約(日本語): 本研究では、弱反転領域で動作する低電力型MOSトランスコンダクタの線形化手法の一例を提案する。弱反転領域で動作するMOSFETでは、ゲート‐ソース間電圧とドレイン電流の大きさは指数関数的な関係にある。これを用いてsinh回路及びtanh回路を実現し、それらの組み合わせにより非線形成分を低減した低電力型線形MOSトランスコンダクタを構成した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 460 Kバイト