アクティブインダクタの負性抵抗成分を用いて利得を改善したRF CMOS LNA

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT11031

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2011/03/24

タイトル(英語): A gain improved narrowband CMOS LNA using negative resistance of an active inductor

著者名: 一法師 大(東京理科大学),兵庫 明(東京理科大学),関根 慶太郎(東京理科大学)

著者名(英語): Ichihoshi Dai(Tokyo University of Science),Hyogo Akira(Tokyo University of Science),Sekine Keitaro(Tokyo University of Science)

キーワード: ＣＭＯＳ|アクティブインダクタ|狭帯域|低雑音増幅器|負性抵抗|CMOS|active inductor|narrowband|low-noise amplifier|negative resistance

要約(日本語): 本稿では、アクティブインダクタの負性抵抗成分を利用して、利得が減少するという問題を解消した狭帯域LNAを提案する。カスコードアクティブインダクタをLNAの負荷として用いる場合、インダクタを負荷として用いる従来の構成に比べ利得が減少する。アクティブインダクタの負性抵抗成分を利用した結果、インダクタレスで従来の構成と同等の電圧利得、入力反射特性を達成した。

要約(英語): This paper proposes a narrowband CMOS LNA, which its gain is improved. The proposed LNA uses negative resistance of an active inductor to improve its gain. The simulation results using 0.35m CMOS technology show that the gain of proposed circuit achieves S21 of 27.7dB. In other words, this results show that the gain of proposed circuit is equal to one of a LNA with an inductor load.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 600 Kバイト