MOSFETの分割による熱雑音低減手法の弛張発振回路への応用

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT11034

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2011/03/24

タイトル(英語): Low phase noise relaxation oscillator using noise cancel technique with divided MOSFET

著者名: 佐藤 隆英(山梨大学),三窪 紘平(山梨大学)

著者名(英語): Sato Takahide(University of Yamanashi),Mikubo Kohei(University of Yamanashi)

キーワード: 弛張発振回路|低位相雑音|Relaxation oscillator|Low phase noise

要約(日本語): 本稿では弛張発振回路の位相雑音の低減に関して論じている。弛張発振器内でスイッチとして動作するMOSFETにおいて生ずる雑音の一部を他のMOSFETを用いて打ち消す構造を採用することにより、従来の弛張発振回路に比べ位相雑音を低減可能であることを示している。提案手法を用いることで評価指数の値が改善されることを計算機シミュレーションにより確認している。

要約(英語): This paper proposes a phase noise reduction technique for the relaxation oscillator. The proposed technique can cancel a part of noise caused by a MOSFETs act as switch by using the proposed noise cancel structure. The phase noise of the relaxation oscillator using the proposed technique is lower than that of conventional relaxation oscillator.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 711 Kバイト