「招待講演」シリコン集積回路における高周波電圧制御発振器の革新

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT11054

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2011/06/30

タイトル(英語): Invited: Innovations of High-Frequency Voltage-Controlled Oscillators on Silicon Integrated Circuits

著者名: 伊藤 信之(岡山県立大学)

著者名(英語): Itoh Nobuyuki(Okayama Prefectural University)

キーワード: 電圧制御発振器|発振周波数|位相雑音|周波数化編範囲|Voltage-controlled Oscillator|Oscillation frequency|phase noise|frequency tuning range

要約(日本語): 1992年にG. Meyer教授のグループからSiプロセスを用いた本格的な高周波電圧制御発振器が発表されてから、電圧制御発振器の技術は革新されてきた。集積回路における高周波電圧制御発振器の革新は、低位相雑音、高発振周波数、広帯域化を目指して、回路・デバイスの両輪で成されてきており、急速な技術革新の結果、FOMは2dB/年、発振周波数は25%/年、広帯域化は25%/年の改善があった。

要約(英語): Innovation of high-frequency VCO on silicon integrated circuits has been improved their performance. The keys to innovation have been both circuit design and device technologies to achieve lower phase noise, higher oscillation frequency, and wider FTR. FOM, oscillation frequency, and FTR were improved 2dB/year, 25%/year, and 25%/year through technical innovations.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,103 Kバイト