SiCパワーMOSFETスイッチング特性の寄生素子依存性に関する一検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT11071

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2011/10/20

タイトル(英語): A study on parasitic elements dependence of SiC power MOSFET at switching behavior

著者名: 柳 達也(京都大学),パンコーン ナタパット(ラチャモンコン工科大学),引原 隆士(京都大学)

著者名(英語): Tatsuya Yanagi(Kyoto University),Nathabhat Phankong(Rajamangala University of Technology Thanyaburi),Takashi Hikihara(Kyoto University)

キーワード: ＳｉＣ|パワーＭＯＳＦＥＴ|スイッチング特性|寄生素子|等価回路モデル|パワーデバイス|SiC|Power MOSFET|Switching behavior|Parasitic elements|Equivalent circuit|Power device

要約(日本語): SiCパワーMOSFETは高耐圧, 高速スイッチングが可能であるため電力変換回路のスイッチング周波数を高周波化することが期待されている. しかしながら, デバイス内部の寄生素子の影響が無視できず, それらを考慮した電力変換回路の設計が不可欠である. 本報告では, SiパワーMOSFETの等価回路モデルをまずベースとして, SiCパワーMOSFETスイッチング特性の寄生素子依存性を検討する.

要約(英語): Parasitic elements of a SiC power MOSFET govern its switching behaviors at high-frequency operation. In this research, we design electric converting circuit including the parasitic elements. In this report, we estimate parasitic elements dependence of SiC power MOSFET at switching behavior through equivalent circuit.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,057 Kバイト