パワーMOSFETの弱反転領域動作を利用したPTAT回路の検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT11072

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2011/10/20

タイトル(英語): A Study of PTAT Voltage Generator Using The Power MOSFET Operating in Subthrethold Region.

著者名: 熊谷 知也(明治大学),関根 かをり(明治大学)

著者名(英語): Kumagai Tomoya(Meiji University),Sekine Kawori(Meiji University)

キーワード: パワーＭＯＳＦＥＴ|弱反転領域|ＰＴＡＴ電圧発生回路|ＣＭＯＳ|温度係数|Power MOSFET|Subthreshold Region|PTAT Voltage Generator|CMOS|Temperature Coefficient

要約(日本語): 本研究ではパワーMOSFETを集積回路上で弱反転領域動作させることにより、大幅な低電圧化を目指す。通常、パワーMOSFETのバルク端子はソース端子に短絡されているが、弱反転領域でのバルク電圧利用を目的としたため、レイアウト上でソース端子とバルク端子を切り離すことにより、バルク制御を可能となるよう設計した。また、その応用としてパワーMOSFETの弱反転領域動作を利用したPTAT回路について理論を求め、実測し検討を行なった。

要約(英語): The operation to aim at significant low voltage by subthreshold region on the integrated circuit using power MOSFET is proposed. In order to operate a power MOSFET as four terminal devices in subthreshold region, the bulk terminal has to be isolated from the source terminal on the layout. PTAT voltage generator using the power MOSFET operating in subthreshold region is analyzed and measured to confirm.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,173 Kバイト