5GHz帯高効率CMOS E級電力増幅器の開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT11087

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2011/10/21

タイトル(英語): High-Efficiency CMOS Class-E Power Amplifier for 5GHz Application

著者名: 山下 勇輝(九州大学),兼本 大輔(九州大学),金谷 晴一(九州大学),ポカレル ラメシュ(九州大学),吉田 啓二(九州大学)

著者名(英語): Yamashita Yuki(Kyushu University),Kanemoto Daisuke(Kyushu University),Kanaya Haruichi(Kyushu University),Pokharel Ramesh(Kyushu University),Yoshida Keiji(Kyushu University)

キーワード: ＣＭＯＳ|Ｅ級電力増幅器|注入同期|カスコード|高効率|CMOS|class-E power amplifier|injection-locked|cascode|high efficiency

要約(日本語): 本研究では，0.18μm CMOSプロセスを用いて高効率な5GHz帯E電力増幅器の開発を行う．提案する回路は，AB級増幅器とE級増幅器の2段構成である．2段目のE級増幅器に用いているE級発振器は正帰還を用いているため，発振制御用のスイッチを設けた．また，MOSFETのゲート酸化膜破壊を防ぐため，MOSFETをカスコード接続とした．さらに，負性キャパシタンスを用いてMOSFETにおける寄生容量を相殺した．シミュレーションの結果，最大PAE41.6%，出力電力15.1dBmを得た．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,208 Kバイト