温度依存性を低減した検出電圧可変なCMOS電圧検出器

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT12027

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2012/03/29

タイトル(英語): CMOS Voltage Detector for Variable Voltage Detection with Low Temperature Dependence

著者名: 小林 優太(明治大学),岡田 高輝(明治大学),関根 かをり(明治大学)

著者名(英語): Kobayashi Yuta(Meiji University),Okada Kouki(Meiji University),Sekine Kawori(Meiji University)

キーワード: ＣＭＯＳ|電圧検出器|ＰＴＡＴ電圧発生回路|温度依存|レベルシフト回路|可変検出電圧|CMOS|Voltage Detector|PTAT Voltage Generator|Temperature Dependence|Level Shifter|Variable Voltage Detection

要約(日本語): 温度依存性低減のためにPTAT電圧発生回路を参照電圧源として接続したCMOS電圧検出器が提案されている。しかしPTAT電圧発生回路の温度係数を合わせると検出電圧が低い値に固定される。そこで本稿ではPTAT電圧発生回路の出力にレベルシフト回路を挿入することで検出電圧を可変とする。またPTAT電圧発生回路とレベルシフト回路が電源電圧に依存しない構成とすることにより、新たな駆動電源を必要としないCMOS電圧検出器として提案する。

要約(英語): A CMOS Voltage Detector connected to PTAT voltage generator as reference voltage generator has been proposed. But detection voltage is fixed on low voltage by fitting their temperature coefficient. Then, for making variable detection voltage, level shift circuit is inserted. And, by being composed of dependence on power voltage, CMOS voltage generator without another drive power is proposed.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 855 Kバイト