弱反転領域動作オペアンプを用いたPTAT電圧発生回路の温度係数上昇手法

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT12036

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2012/03/30

タイトル(英語): Improvement of Temperature Coefficient for PTAT Voltage Generator with Subthreshold Region Operated OPamp

著者名: 高橋 康仁(明治大学),関根 かをり(明治大学)

著者名(英語): takahashi yasuhito(Meiji University),sekine kawori(Meiji University)

キーワード: ＰＴＡＴ電圧発生回路|微小電源電圧|弱反転領域動作|拡散電流|温度係数|オペアンプ|PTAT Voltage Generator|Low Power Supply|Subthreshold Region|Diffusion Current|Temperature Coefficient|OPamp

要約(日本語): 本研究では弱反転領域動作のMOSFETを利用した微小電圧でも動作可能なPTAT電圧発生回路の温度係数上昇を目指す。弱反転領域動作は実測とシミュレーションでは一致しにくいため設計が困難である。そこでMOSFET単体での実測結果を用いて、弱反転駆動オペアンプの設計手法を考察する。弱反転領域動作オペアンプを用いることで消費電流を抑えつつ、温度係数の上昇を行うことが可能である。

要約(英語): The way of using opamp which is using subthreshold region operated MOSFET is proposed to improve temperature coefficient of PTAT voltage generator . Using subthreshold region MOSFET in opamp is unable to decrease the power.Proposed circuit is analysed by 4-terminal MOSFET model in subthreshold region based on the diffusion current.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 637 Kバイト