二帯域で動作可能なE級電力増幅器

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT12042

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2012/06/21

タイトル(英語): Dual-Band Class-E Power Amplifier

著者名: 鳥居 拓真(東京理科大学),兵庫 明(東京理科大学),塚田 敏郎(東京理科大学),関根 慶太郎(東京理科大学)

著者名(英語): Torii Takuma(Tokyo University of Science),Hyogo Akira(Tokyo University of Science),Tsukada Toshiro(Tokyo University of Science),Sekine Keitaro(Tokyo University of Science)

キーワード: Ｅ級電力増幅器|ＣＭＯＳ|二帯域|高周波|Class E Power Amplifier|CMOS|dual-band|RF

要約(日本語): 本稿では、新たに容量を追加することにより二帯域で動作可能にしたE級電力増幅器を提案する。E電力増幅器を複数の周波数で動作させるためには、インダクタと容量を周波数ごとに用意する必要があるため、回路綿面積が増加する。提案回路では容量値のみにより動作周波数を変化させるため、回路面積の増加を抑える事ができる。帯域ごとにE級電力増幅器を用意する場合と比較してインダクタの数を1つ削減し、小面積化に成功した。

要約(英語): This paper presents a new design technic for a dual-band class-E power amplifier (PA) by adding capacitors. When a Class-E PA is operated at multi-band, the circuit area becomes large because inductors and capacitanors depend on frequency. But this technic can change operation frequency without changing inductors. Consequently this technic can decrease the number of inductances compared with preparing many PAs for every frequency.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 748 Kバイト