微小電源電圧駆動PTAT電圧発生回路の実現可能範囲に関する一考察

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT12054

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2012/06/22

タイトル(英語): A consideration of the realizable range of PTAT Voltage Generator under Ultra Low Power Supply

著者名: 伊藤 遼(明治大学),関根 かをり(明治大学)

著者名(英語): Ito Ryo(Meiji University),Sekine Kawori(Meiji University)

キーワード: ＰＴＡＴ電圧発生回路|弱反転領域|温度係数|微小電源電圧|PTAT Voltage Generator|weak inversion region|temperature coefficient|Ultra Low Power Supply

要約(日本語): 本稿では、微小電源電圧駆動PTAT電圧発生回路において、どの範囲で温度係数とPTAT電圧が理論値と一致して成り立つかについて述べられている。理論値と実測値が良く一致する範囲においてMOSFETの寸法を変えると、特性が変わることがわかった。理論値と実測値がよく一致する範囲で設計を行えば、正確なPTAT電圧を出力することができる。

要約(英語): This paper mentions the region where measured temperature coefficient and PTAT Voltage are corresponded to theoretical value in PTAT Voltage Generator under Ultra Low Power Supply.　In the region where theoretical value and measured value are corresponded, PTAT Voltage characteristics depend on the size of MOSFET. If this circuit is designed with the size of MOSFET where theoretical value and measured value are corresponded, it is possible to output theoretical PTAT Voltage.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 4,391 Kバイト