SiパワーMOSFETを用いた5MHzスイッチング動作による絶縁型フライバックコンバータの挙動解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT12055

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2012/06/22

タイトル(英語): Behavior analysis in isolated Flyback Converter with 5MHz switching operation using Si power MOFET

著者名: 佐藤 宣夫(京都大学,千葉工業大学),文野 貴司(京都大学),大嶽 浩隆(ローム株式会社),中村 孝(ローム株式会社),引原 隆士(京都大学)

著者名(英語): Satoh Nobuo(Kyoto Univ.,Chiba Inst. of Tech.),Fumino Takashi(Kyoto Univ.),Ohtake Hirotaka(ROHM Co.,Ltd.),Nakamura Takashi(ROHM Co.,Ltd.),Hikihara Takashi(Kyoto Univ.)

キーワード: スイッチング電源|Ｓｉ　パワーＭＯＳＦＥＴ|高周波動作|絶縁ゲートドライブ|パルストランス|switching supply|Si power MOSFET|high frequency switching|isolated gate driver|pulse transformer

要約(日本語): 小容量スイッチング電源として，チョークコイルを必要としない絶縁型フライバックコンバータに着目し，Si製パワー半導体デバイスを用いて，オン／オフ時の動特性評価を行う．最高5MHzとなるMHzオーダーでのスイッチング動作時の電源回路内の電圧・電圧の挙動解析により，電力変換回路における高速スイッチング時の損失抑制を検討する．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 5,840 Kバイト