異なる補償関数発生法を用いた CMOS TCXO の特性比較

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT12064

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2012/10/04

タイトル(英語): Comparison of Performances of CMOS TCXOs Made Using Different Type Compensation Function Generator

著者名: 内納 浩平(横浜国立大学),保田 翼(横浜国立大学),泉谷 昭二(横浜国立大学),足立 武彦(横浜国立大学)

著者名(英語): Uchinou Kouhei(Yokohama National University),Yasuda Tsubasa(Yokohama National University),Izumiya Shoji(Yokohama National University),Adachi Takehiko(Yokohama National University)

キーワード: ＴＣＸＯ|温度特性|消費電力|位相雑音|水晶発振器|TCXO|Temperature Characteristics|Power consumption|Phase noise|Crystal osillator

要約(日本語): 0.18μmCMOS プロセスを用いて、異なる補償関数発生回路を用いた温度補償水晶発振回路(TCXO)を設計し、温度補償精度、消費電力、位相雑音、電源電圧変動の影響などの特性をシミュレーションにより比較した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,308 Kバイト