深い3極管領域で動作するPMOSを用いて大出力時の線形性を改善した高周波電力増幅回路

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT12066

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2012/10/04

タイトル(英語): A RF power amplifier improved the linearity at the large output level using PMOS operating in triode region

著者名: 上村 和久(東京理科大学),兵庫 明(東京理科大学),塚田 敏郎(東京理科大学),関根 慶太郎(東京理科大学)

著者名(英語): Uemura Kazuhisa(Tokyo University of Science),Hyogo Akira(Tokyo University of Science),Toshiro Tsukada(Tokyo University of Science),Sekine Keitaro(Research Institute for Science and Technology)

キーワード: ＣＭＯＳ|ＲＦ|電力増幅回路|３次相互変調歪み|CMOS|RF|Power Amplifier |3rd intermodulation distortion

要約(日本語): 2段構成の電力増幅回路を想定し、ドライバ段の負荷に可変抵抗として動作するp型MOSFETを用いることで、バイアス電圧を低く設定した出力段の非線形性を低減する手法を提案する。シミュレーションの結果、出力電力が大きくなった際の3次相互変調歪みを低減することができた

要約(英語): This paper presents a RF power amplifier improved the linearity at the large output level by using PMOSFET operating in triode region.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 830 Kバイト