0.18μmCMOSによる電流制御RDLを用いたTADの設計とシミュレーションによる評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT12083

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2012/10/05

タイトル(英語): Design of TAD Using Current Controlled RDL by 0.18um CMOS Process and its Simulation

著者名: 鈴木 亮(横浜国立大学),渡辺 高元(デンソー),田口 信幸(デンソー),山内 重徳(デンソー),寺澤 智仁(デンソー),増田 純夫(横浜国立大学),足立 武彦(横浜国立大学)

著者名(英語): Suzuki Ryo(Yokohama National University),Watanabe Takamoto(DENSO CORPORATION),Taguchi Nobuyuki(DENSO CORPORATION),Yamauchi Shigenori(DENSO CORPORATION),Terazawa Tomohito(DENSO CORPORATION),Masuda Sumio(Yokohama National University),Adachi Takehiko(Yokohama National University)

キーワード: ＴＡＤ|ＡＤ変換|低消費電力|線形性|リングディレイライン|TAD |AD converter|low power|liniarity|Ring delay line

要約(日本語): 電流制御リングディレイライン(RDL)を用いたTime Analog to Digital Converter (TAD) を0.18μmCMOSプロセスにより設計した。線形性、消費電力、温度特性、電源電圧依存性などをシミュレーションにより評価し、従来型RDLを用いた場合と比較した。

原稿種別: 日本語

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