基板バイアス効果により移動度低下の影響を低減した線形MOSトランスコンダクタの一構成法

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT12091

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2012/12/21

タイトル(英語): An Improvement of Mobility Degradation of a Linear MOS Transconductor Using Body Effect

著者名: 大淵 武史(防衛大学校),松元 藤彦(防衛大学校)

著者名(英語): Ohbuchi Takeshi(National Defense Academy),Matsumoto Fujihiko(National Defense Academy)

キーワード: ＣＭＯＳ|アナログ集積回路|トランスコンダクタ|移動度の低下|基板バイアス効果

要約(日本語): 強反転領域動作の局所負帰還型トランスコンダクタは、垂直電界による移動度低下により入出力特性の線形性が悪化する。適応バイアスにより移動度低下の影響を低減する手法が提案されているが、適応バイアス回路により消費電力が大きくなる。本稿では、基板電位を入力電圧に応じて変化させ、基板バイアス効果により新たなトランジスタを追加せずに移動度影響の低下を低減する。提案回路の妥当性はシミュレーションにより確認する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 760 Kバイト