弱反転領域動作MOSFETカレントミラー回路の形状比による温度依存性低減

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT12092

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2012/12/21

タイトル(英語): Reducing temperature dependence of subthreshold region MOSFET current mirror by aspect ratio

著者名: 高野 真志(明治大学),和田 和千(明治大学),関根 かをり(明治大学)

著者名(英語): Takano Masashi(Meiji university),Wada kazuyuki(Meiji university),Sekine Kawori(Meiji university)

要約(日本語): 本稿では、MOSFETカレントミラー回路の弱反転領域動作時の温度特性について考察する。基本的カレントミラー回路と、バルク端子をゲート端子に接続した低電圧カレントミラー回路の二つについて、シミュレーションによって検証し、形状比を適切に設計すれば、順バイアスがかかっているバルク端子への電流によって、温度依存性を低減できることを指摘する。また、実測の結果はシミュレーションが妥当であることを示している。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,104 Kバイト