相補入力によるアクティブインダクタの歪み低減

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT12093

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2012/12/21

タイトル(英語): Low Distortion Active Inductor using Linearity Compensation of CMOS

著者名: 石井 龍之介(東京理科大学),兵庫 明(東京理科大学),塚田 敏郎(東京理科大学)

著者名(英語): Ryunosuke Ishii(Tokyo University of Science),Hyogo Akira(Tokyo University of Science),Tsukada Toshiro(Tokyo University of Science)

キーワード: アクティブインダクタ|歪み|シーモス|active inductor|distortion|CMOS

要約(日本語): 本稿では、n型MOSFETの非線形性をもつアクティブインダクタを、対称なp型MOSFETの非線形性をもつアクティブにより低減する構成を提案する。0.18mCMOSプロセスを用いたシミュレーションの結果、周波数100MHz、振幅50mVの正弦波入力信号において、従来のアクティブインダクタのTHDが3.24%に対して、提案構成で1.1%に低減されることを確認した。

要約(英語): This paper presents a distortion reduction technique using a complementary counterpart active inductor. Total Harmonic distortion (THD) of proposed active inductor using 0.18m CMOS technology lowers than conventional one.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,175 Kバイト