0.1um NMOS 2port高周波ノイズパラメータのための雑音モデルの検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT12097

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2012/12/21

タイトル(英語): On Noise Modeling for 0.1um NMOS 2port RF Noise Parameters

著者名: 新津 陽一郎(東芝),藤井 史恵(東芝),吉富 貞幸(東芝),大黒 達也(東芝)

著者名(英語): Niitsu Yoichiro(Toshiba Corp. Semiconductor & Storage Products Company),Fujii Fumie(Toshiba Corp. Semiconductor & Storage Products Company),Yoshitomi Sadayuki(Toshiba Corp. Semiconductor & Storage Products Company),Ohguro Tatsuya(Toshiba Corp. Semiconductor & Storage Products Company)

キーワード: ＭＯＳＦＥＴ|雑音指数|等価抵抗|基板抵抗|接合容量|ハンプ|MOSFET|noise figure|equivalent resistance|substrate resistance|junction capacitance|hump

要約(日本語): 熱雑音特性が正確にシミュレートされることはRF-CMOSデバイスの設計に重要である。今回２Dデバイスシミュレータにより110nm世代のNMOSデバイス構造を変化させて熱雑音パラメータを計算させ、それぞれに対してBSIM4モデルを用いてパラメータ抽出を行った。基板抵抗と接合容量の影響が無視し得ないことなどが示される。

要約(英語): The 2-port noise parameters(NFmin, Rn, Yopt) are commonly used to design the amplifiers to select the reflection coefficient that compromise between the noise figure and the power gain. This paper shows, using the 2-D device simulation, that the substrate-induced noise causes humps in the frequency dependence of through the low-pass filter that consists of the substrate resistances and the junction capacitances and/or MOS depletion capacitance. The results are well described by the BSIM4 model when the careful extraction of the parameters are performed.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 959 Kバイト