SiおよびGeトランジスタ裸チップの高感度受光特性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT13018

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2013/01/25

タイトル(英語): Remarkable photovoltaic effect of Si and Ge transistor bare chips

著者名: 渡辺 健人(香川大学),藤田 順一(香川大学),岡本 研正(香川大学)

著者名(英語): Watanabe Kento(Kagawa University),Fujita Junichi(Kagawa University),Okamoto Kensho(Kagawa University)

キーワード: 接合型トランジスタ|光起電力効果|発光ダイオード|フォトダイオード|トランジスタ光動説|光通信|junction transistor|photovoltaic effect|light-emitting diode|photodiode|novel transistor theory|optical communication

要約(日本語): 著者の一人である岡本は2010年、SiやGeの接合型トランジスタの裸チップが可視域から近赤外域の光に対し顕著な光起電力効果を示すことを発見した。詳しく調べてみると、これらのトランジスタチップにおいてはエミッタ・ベース間接合およびコレクタ・ベース間接合がともに高感度なフォトダイオードとして動作すること、しかもエミッタ側またはコレクタ側の一方から光を当てた場合、反対側の接合でも受光できることが分かった。本論文ではSiおよびGe接合型トランジスタチップの受光特性について述べる。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,087 Kバイト