商品情報にスキップ
1 1

ミリ波領域におけるMOSバラクタのモデリング

ミリ波領域におけるMOSバラクタのモデリング

通常価格 ¥330 JPY
通常価格 セール価格 ¥330 JPY
セール 売り切れ
税込

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT13026

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2013/01/26

タイトル(英語): MOS Varactor modeling for mm-wave

著者名: 板野 由佳(岡山県立大学),伊藤 信之(岡山県立大学),吉富 貞幸(東芝),星野 洋昭(東芝)

著者名(英語): Itano Yuka(Okayama Prefectural University),Itoh Nobuyuki(Okayama Prefectural University),Yoshitomi Sadayuki(TOSHIBA),Hoshino Hiroaki(TOSHIBA)

キーワード: Mosバラクタ|高周波|モデリング|ゲート抵抗|スケーラブル

要約(日本語): ワイヤレスコミュニケーションの高周波化、ローパワー化の要求に伴って、RFCMOSが注目されている。特に高周波領域では発振器の位相雑音にMOSバラクタの性能が影響している。そのため高周波領域での新たなバラクタのモデリング方法を開発した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 7,639 Kバイト

販売タイプ
書籍サイズ
ページ数
詳細を表示する