基板バイアス効果により線形性を改善した局所負帰還型低Gm トランス コンダクタの一構成法

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT13034

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2013/03/07

タイトル(英語): An Improvement of linearity of a Low Gm Local Feed Back MOS Transconductor Using Body Effect

著者名: 大淵 武史(防衛大学校),松元 藤彦(防衛大学校)

著者名(英語): Ohbuchi Takeshi(National Defense Academy),Matsumoto Fujihiko(National Defense Academy)

キーワード: アナログ集積回路|トランスコンダクタ|弱反転領域|低電力回路|基板バイアス効果|Analog Integrated Circuits|Transconductors|Subthreshold Region|Low Power Circuits|Body Effect

要約(日本語): 以前、生体信号処理に用いる低周波アクティブフィルタへの応用を考え、低Gm線形トランスコンダクタを提案した。局所負帰還型トランスコンダクタを基にしているが、減衰させた入力信号を用いるため、トランスコンダクタのバイアス回路を拡張する必要があった。本報告では、基板バイアス効果を利用することで、バイアス回路の拡張をせずに低Gm線形トランスコンダクタを実現する。提案回路の妥当性はシミュレーションにより確認する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 780 Kバイト