モデルパラメータ抽出用にドリブンシールドを用いて製作したトランジスタマトリックスDC TEG

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT13039

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2013/03/07

タイトル(英語): Transistor matrix DC TEG made by using a driven shield for the model parameter extraction

著者名: 盛 健次(東京工業大学),菅原 光俊(東京工業大学),松澤 昭(東京工業大学)

著者名(英語): Kenji Mori(TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY),Mitsutoshi Sugawara(TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY),Akira Matsuzawa(TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY)

キーワード: 直流ＴＥＧ|トランジスタ行列|モデルパラメータ抽出|ドリブンシールド|DC TEG|transistor matrix|model parameter extraction|driven shield

要約(日本語): 我々は、モデルパラメータ抽出の為に、ドリブン・シールドを使って、トランジスタマトリックスDC TEGを作製した。そのDC TEGにより、１）ケルビン接続により、配線抵抗を除去したより正確なトランジスタの電流－電圧特性を得て、２）ドリブン・シールドを使って、トランジスタマトリックスで測定されないトランジスタのリーク電流をトランジスタの測定端子から分離することができるようになった。

要約(英語): We have produced the transistor matrix DC TEG for the model parameter extraction by using a driven shield. It has been possible 1) to obtain the I-V characteristic of a more accurate transistor by removing the wiring resistance by the Kelvin connection, and 2) to separate the leakage currents of the transistors not measured in the transistor matrix from the measurement terminal of the transistor by using a driven shield.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 788 Kバイト