弱反転領域動作PTAT回路を利用した温度センサ

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT13048

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2013/03/08

タイトル(英語): Thermal sensor with PTAT Voltage Generator Using MOSFETs Operating in Subthreshold Region

著者名: 熊谷 知也(明治大学),関根 かをり(明治大学)

著者名(英語): Kumagai Tomoya(Meiji University),Sekine Kawori(Meiji University)

キーワード: 温度センサ|弱反転領域|ＰＴＡＴ電圧発生回路|温度係数|オフセットキャンセル|ＣＭＯＳ|Thermal Sensor|Subthreshold Region| PTAT Voltage Generator|Temperature Coefficient|Offset Cancel|CMOS

要約(日本語): 本稿ではPTAT（Proportional To Absolute Temperature ）電圧発生回路をコア回路としICチップ内の温度をデジタル値として出力させるシステムを提案する。AD変換する際のコンパレータから発生するオフセットや温度変化に伴うしきい値のミスマッチをオフセットキャンセルによる補正方法によって検討を行なった。これより，チップ内の異常発熱を検知するスマート温度センサとして応用することが期待される。0.18um n-well CMOSプロセスによって理論計算、及び回路シミュレーションを用いて評価した。

要約(英語): A system having digital output of temperature sensed by PTAT voltage generator is proposed. This work is expected to apply as smart thermal sensor which senses abnormal heating of the IC chip. Proposed circuit is calculated theoretically and simulated with 0.18um CMOS technology.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,561 Kバイト