Siを母材とする各種ダイオード、トランジスタ、サイリスタ、トライアック、及びMOSFETの発光観察

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT13052

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2013/03/08

タイトル(英語): Observation of near infrared light emission in silicon diodes, transistor, thyristor, triac and MOS-FET

著者名: 小西 亮平(香川大学),藤田 順一(香川大学),岡本 研正(香川大学)

著者名(英語): Konishi Ryohei(Kagawa University),Fujita Junichi(Kagawa University),Okamoto Kensho(Kagawa University)

キーワード: Ｓｉダイオード|Ｓｉトランジスタ|Ｓｉツェナーダイオード|サイリスタ|トライアック|ＭＯＳＦＥＴ|Si diode|Si transistor|Si zener diode|thyristor|triac|MOSFET

要約(日本語): Si半導体は間接遷移型であるため光らないと一般的に考えられてきた。しかし、Siフォトダイオードを発光・受光共に用いた光通信を1989年から行なってきた岡本教授は、Si半導体は光っているという考えのもと発光観察を行い、2010年9月にSiフォトダイオードの発光観察に成功した。この結果から、Siを母材として用いる様々な素子が発光している可能性を考えた教授は、Si半導体の中でSiチップが露出可能な素子を用いて発光観察を試みた。

要約(英語): Professor Okamoto of Kagawa University found in 2010 that Si photo diode emitted infrared-light when a current was passed in the forward direction. From this fact, he thought that various elements made from silicon may emit light, and he tried to observe silicon’s emission light. In this study, we observed infrared emission from many silicon devices using a special camera.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,245 Kバイト