VCSELドライバ向け非対称エンファシス回路

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT13059

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2013/07/04

タイトル(英語): An asymmtric emphasis circuit for VCSEL driver

著者名: 矢崎 徹(日立製作所),高井 俊明(日立製作所),中條 徳男(日立製作所),松嶋 直樹(日立製作所)

著者名(英語): Yazaki Toru(Hitachi,Ltd.),Takai Toshiaki(Hitachi,Ltd.),Chujo Norio(Hitachi,Ltd.),Matsushima Naoki(Hitachi,Ltd.)

キーワード: ＶＣＳＥＬ|ドライバ回路|非対称エンファシス|光配線|VCSEL|Opical driver circuit|Asymmetric emphasis|Optical interconnection

要約(日本語): 本稿では面発光ダイオード（ＶＣＳＥＬ）ドライバ回路に向けて提案する非対称エンファシス回路と試作チップの実測結果について述べる。提案回路はエンファシス信号のデューティー比を調整することで、非対称なエンファシス信号を実現した。６５ｎｍＣＭＯＳプロセスを用いて試作を行い、立ち下がりエッジで７０％、立ち上がりエッジでー１００％の非対称なエンファシス調整が行えることを確認した。

要約(英語): This paper describes an asymmetric emphasis circuit design and experimental results for vertical-cavity surface emitting laser (VCSEL) driver circuit. The proposed circuit realized the asymmetric emphasis signal with the adjusting a duty ratio in an emphasis circuit. The test chip is fabricated in 65 nm standard CMOS process. The electrical measurement results show the emphasis quantity increased 70 % at the falling edge at 12.5 Gbps, whereas 100 % decreased at the rising edge.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 745 Kバイト