基板効果を利用した低Gm線形拡張SINHセルMOSトランスコンダクタの一構成法

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT13080

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2013/10/03

タイトル(英語): A Low Gm Linear Extended SINH Cell MOS Transconductor Using Body Effect

著者名: 大淵 武史(防衛大学校),松元 藤彦(防衛大学校)

著者名(英語): Ohbuchi Takeshi(National Defense Academy),Matsumoto Fujihiko(National Defense Academy)

要約(日本語): 生体信号処理に用いる低周波アクティブフィルタへの応用を考え、過去に局所負帰還型トMOSランスコンダクタを基に基板バイアス効果を利用した低Gm線形トランスコンダクタを提案した。さらなる線形性改善のために拡張SINHセルMOSトランスコンダクタを基に基板バイアス効果を利用した線形トランスコンダクタを提案する。提案回路の妥当性はシミュレーションにより確認する。

原稿種別: 日本語

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