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インターポーザの開発

インターポーザの開発

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT13107

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2013/11/22

タイトル(英語): Development of Interposer using MEMS Technology

著者名: 小岩 進雄(大日本印刷),倉持 悟(大日本印刷),鈴木 浩助(大日本印刷),福岡 義孝(ウェイスティ-)

著者名(英語): Koiwa Sumio(Dai Nippon Printing Co,Ltd),Kuramochi Satoru(Dai Nippon Printing Co,Ltd),Suzuki Kousuke(Dai Nippon Printing Co,Ltd),Fukuoka Yoshitaka(Worldwide Electronic Integrated Substrate Technology Inc.)

キーワード: ガラスインターポーザ|貫通電極基板|Through Glass Via|Glass Interposer

要約(日本語): 3次元実装の貫通配線技術として、TSV(Through Silicon Via)開発が進められており、量産技術として展開されている。本稿では、TSVに対し、コスト面や性能面において優位性を有しているTGV(Through Glass Via)技術に関し、TSV技術を応用して試作を行った結果について報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 746 Kバイト

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