配線の故障物理と寿命分布解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT13108

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2013/11/22

タイトル(英語): Reliability Physics and Lifetime Distribution Analysis of Interconnects

著者名: 横川 慎二(職業能力開発総合大学校)

著者名(英語): Yokogawa Shinji(Polytechnic University)

キーワード: 配線|故障物理|寿命分布|エレクトロマイグレーション|ストレス誘起ボイド|Ｌｏｗ－ｋ　ＴＤＤＢ|Interconnect|Reliability physics|Lifetime distribution|Electromigration|Stress-induced voiding|Low-k TDDB

要約(日本語): 半導体デバイスの配線における代表的な故障物理メカニズムと、それらと深い関係を有して顕れる寿命分布の特性について概括する。

要約(英語): Statistical distribution of lifetime, that is caused by electromigration, stress-induced voiding, and low-k TDDB, are discussed from the view point of a correlation between failure mechanism and lifetime. Especially, statistical and experimental techniques to evaluate lifetime of low cumulative probability is introduced.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,163 Kバイト