ナノスケールシミュレーションで見える量子細線トンネルFETの実力

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT13109

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2013/11/22

タイトル(英語): Nanowire Tunneling FET Evaluated by Nano-scale Simulation

著者名: 中村 肇(日本アイ・ビー・エム)

著者名(英語): nakamura hajime(IBM Research - Tokyo)

要約(日本語): 低電圧Post-CMOSデバイスである量子細線トンネルFETをナノスケールシミュレーションを用いて評価し、トンネル過程の物理に加え、ドーパントやゲート界面の影響を理論的に解明した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,733 Kバイト