MOSFET疑似高抵抗を用いた電荷電圧変換回路の線形性改善

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT14001

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2014/01/23

タイトル(英語): A Q/V converter with linearized MOSFET pseudo-resistor

著者名: 高瀬 恭英(村田製作所)

著者名(英語): Yasuhide Takase(Murata Manufacturing Co., Ltd.)

キーワード: アナログ集積回路|弱反転領域|電荷電圧変換回路|Analog Integrated Circuit|Sub-Threshold Region|Q/V converter

要約(日本語): 本論文では、MOSFETの擬似抵抗の線形化手法を提案する。サブスレッショルド領域で動作させたMOSFETは、オンチップで高抵抗を疑似的に実現するために重要な要素である。しかしながら、ドレイン - ソース間抵抗はVdsに指数関数的に依存し、非線形な特性を持つ。我々は抵抗トラッキングにより線形性を改善し，さらに電荷電圧変換回路にこの技術を導入することで低周波化を実現した．

要約(英語): In this paper, a linearization technique of MOSFET pseudo-resistor is proposed. A MOSFET in sub-threshold region is an important element to implement high resistance on chip. However, the resistance between drain and source exponentially depends on Vds. We used a resistance tracking technique to suppress the nonlinearity, and then introduced this technique to a Q/V converter.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,280 Kバイト