nチャネルMOSFETのゲート電圧による1/fノイズばらつきモデルの検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT14010

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2014/01/23

タイトル(英語): 1/f Noise Variance Modeling of Gate Voltage Dependence with n-channel MOSFETs

著者名: 轟 俊一郎(群馬大学),安部 文隆(群馬大学),ハタミ ラミン(群馬大学),新井 薫子(群馬大学),香積 正基(群馬大学),戸塚 拓也(群馬大学),青木 均(群馬大学),小林 春夫(群馬大学)

著者名(英語): Shunichiro Todoroki(Gunma University Graduate School),Fumitaka Abe(Gunma University Graduate schol),Ramin Khatami(Gunma University Graduate School),Yukiko Arai(Gunma University Graduate School),Masaki Kazumi(Gunma University),Takuya Totsuka(Gunma University),Hitoshi Aoki(Gunma University),Haruo Kobayashi(Gunma University)

キーワード: １／ｆ　ノイズ|モデリング|ばらつき|ＭＯＳＦＥＴ|Flicker Noise|Modeling|Variation|MOSFET

要約(日本語): 近年、MOSFETの微細化に伴いノイズによる製品の性能劣化が問題となってきている。本論文では、より1/fノイズレベルが高いｎチャネルMOSFETのゲート電圧に着目し、1/fノイズの発生メカニズムに直結したシンプルなモデルを用いて解析を行った。特に1/fノイズはMOSFETごとに無視できないほどの特性ばらつきがあり、これをモデル化することは重要である。そこでノイズ発生メカニズムに基づいた解析モデルを提案する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,738 Kバイト