GaNトランジスタの高速ゲートドライブ回路に関する実験的検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT14046

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2014/03/07

タイトル(英語): An Experimental Study on High Frequency Gate Drive Circuit for GaN Transistor

著者名: 長岡 晃平(京都大学),引原 隆士(京都大学)

著者名(英語): Kohei Nagaoka(Kyoto University),Takashi Hikihara(Kyoto University)

キーワード: ＧａＮパワーデバイス|高速スイッチング|ゲートドライブ|GaN power dvice|high frequency switching|gate drive

要約(日本語): 本検討は、窒化ガリウム(GaN)を材料に用いた次世代パワーデバイスの高速駆動に関する。GaNパワーデバイスは、従来用いられてきたSiパワーデバイスを凌ぐ高速スイッチングデバイスとして期待される。さらに本検討で使用したGaNトランジスタは、ゲートしきい値電圧が低い、ゲート入力容量が小さいという特徴を有する。以上の特徴を考慮したGaNトランジスタの高速駆動回路について検討する。

要約(英語): In this paper, we focus a gate drive circuit for a gallium nitride (GaN) power device at high frequency. GaN power devices have received much attention because of its potential for high frequency circuit switching. Moreover, the tested GaN transistor has a low threshold voltage and a small input capacity. A drive circuit is proposed and the characteristics are discussed.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 694 Kバイト