レベルシフト回路を用いたリングオシレータの発振周波数の高周波化

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT14050

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2014/03/07

タイトル(英語): High speed ring oscillator using level shift circuits

著者名: 長田 岳志(山梨大学),佐藤 隆英(山梨大学),兼本 大輔(山梨大学)

著者名(英語): Takeshi Nagata(The University of Yamanashi),Takahide Sato(The University of Yamanashi),Daisuke Kanemoto(The University of Yamanashi)

キーワード: リングオシレータ|ＣＭＯＳインバータ|レベルシフト回路|発振周波数|ring oscillator|CMOS inverter|level shift circuit|Oscillation frequency

要約(日本語): CMOSインバータで構成されるリングオシレータの発振周波数の高周波化の手法を提案する。リングオシレータの発振周波数はCMOSインバータを構成するMOSFETのドレイン抵抗を低減することで高周波化する。そこでnチャネルMOSFETのゲート端子にレベルシフト回路を挿入することでドレイン抵抗を低減し、発振周波数の高周波化を図る。HSPICEによるシミュレーションを行い、提案回路は従来回路に比べ高い発振周波数で発振可能であることを確認している。

要約(英語): This paper proposes a high frequency ring oscillator. In the proposed circuit, simple level shift circuits are used to increase their transconductance and drain conductance. The level shift circuit consists of only a capacitor and a MOSFET. Simulation results show that the proposed circuit can oscillate in higher frequency.

原稿種別: 日本語

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